美國商務部于12月20日正式宣布，根據《CHIPS》法案激勵計劃，向三星電子提供的直接資金補貼從今年4月初步條款備忘錄中的64億美元減少至47.45億美元，降幅超過四分之一。這一變化直接影響了三星在美半導體領域的投資計劃。
根據IT之家對比兩份文件，三星電子承諾的在美半導體領域投資規模從4月的“超過400億美元”降至12月的“超過370億美元”。同時，項目細節也進行了相應調整。三星原計劃在得克薩斯州泰勒市建設一座生產3D HBM和2.5D封裝的先進封裝設施，但在最終協議中刪去了相關內容。此外，三星位于泰勒市的兩座先進制程工廠原本計劃專注量產4nm、2nm制程技術，但最終協議僅提及了2nm。
這一調整也導致相關項目可提供的高薪制造業工作崗位和建筑工作機會從4500多個和超17000個降低到了3500多個和約12000個。三星在美先進制程產能將重點關注下一代尖端節點，而非目前已趨近成熟穩定的4nm。同時，三星也暫時擱置了在美提供先進制程與先進封裝“一站式”服務的計劃。
三星新任foundry負責人韓真晚曾表示，該部門目前最關鍵的任務是實現2nm產能的快速爬坡。更優秀的工藝質量也有助于三星泰勒廠2nm贏得美國本土Fabless設計企業的青睞。
