據韓媒the bell報道，三星電子正計劃啟動采用常規結構的1e nm制程DRAM研發。這一舉措旨在實現先進內存開發的多軌化，為未來可能的商業化提供更豐富的技術儲備。
結合三星前任存儲器業務負責人李禎培今年9月展示的路線圖以及《韓國經濟日報》10月的報道，三星電子原計劃在2026年推出1d nm內存，隨后于2027年推出基于4F2 VCT創新結構的0a nm內存。然而，韓媒表示1e nm DRAM有望于2028年推出，若其最終走向商業化，則4F2 VCT DRAM的量產預計將至少延至2029年。
4F2 VCT DRAM的優勢在于其DRAM單元更為小巧，且能更有效利用垂直方向空間。然而，這也意味著其生產流程將引入大量新技術和新設備，大幅提升資本支出和生產成本。相比之下，延續傳統結構的1e nm DRAM具有明顯的成本優勢。
內部消息人士透露，在經歷縮小HBM開發團隊規模導致未能在HBM市場占據有利地位的重大戰略錯誤后，三星內部忽視非主要產品技術開發的氛圍已有很大改善。這一變化推動了1e nm DRAM等“備選技術”的發展。
