天眼查App顯示，中芯國際集成電路制造（北京）有限公司與中芯國際集成電路制造（上海）有限公司聯合申請的一項發明專利“半導體結構及其形成方法”于2023年6月29日正式公開。該專利的核心創新在于對準標記層的設計，其透光率低于基底和覆蓋層，從而在覆蓋層下仍能清晰識別對準標記層。
該專利的發明人包括宋孟夏、陳楠、馬德敬和朱娜。專利技術通過優化對準標記層的尺寸、形貌和位置精度，確保其在覆蓋層厚度變化時仍能保持高精度，進而提升后續圖形化制程中的光學對準精度。這一技術突破不僅提高了半導體結構的性能，還為半導體制造工藝的進一步優化提供了新的可能性。
中芯國際作為中國領先的半導體制造企業，此次專利的公開再次展示了其在技術創新方面的實力。該專利的推廣應用有望為半導體行業帶來新的技術突破，推動整個行業的技術進步。
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