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天眼查App顯示，蘇州東微半導體股份有限公司于2024年9月29日公開了一項名為“IGBT器件的制造方法”的發明專利，專利號為CN202411371352.8。該專利由劉偉、王鵬飛、陳鑫和劉磊共同發明，屬于IGBT器件技術領域。

該制造方法包括在n型半導體層內形成若干個第一溝槽，通過傾斜的離子注入形成溝道注入區和p型體區，通過垂直的離子注入形成n型電荷存儲區，并通過自對準工藝形成第一柵極和第二溝槽。這一方法顯著減少了IGBT器件制造過程中的光刻工藝次數，從而降低了制造成本。

蘇州東微半導體股份有限公司位于江蘇省蘇州市蘇州工業園區金雞湖大道99號蘇州納米城西北區20棟515室，此次公開的專利展示了公司在半導體技術領域的創新能力。

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