天眼查App顯示，蘇州東微半導體股份有限公司于2024年9月29日公開了一項名為“一種IGBT器件的制造方法”的發明專利，專利號為CN202411371344.3。該專利由劉偉、王鵬飛、陳鑫和劉磊共同發明，屬于IGBT器件技術領域。
該專利的核心技術在于通過傾斜和垂直的離子注入工藝，減少了制造過程中的光刻工藝次數，從而顯著降低了IGBT器件的制造成本。具體步驟包括在n型半導體層內形成第一溝槽、N離子注入區、n型電荷存儲區、n型源區，以及通過自對準工藝形成第一柵極和第二溝槽，最終在第二溝槽形成第二柵極，并在n型半導體層內形成p型體區。
蘇州東微半導體股份有限公司位于江蘇省蘇州市蘇州工業園區，此次專利的公開標志著該公司在IGBT器件制造技術領域取得了重要突破。該專利的公開日期為2024年12月31日，預計將對半導體行業產生深遠影響。
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