天眼查App顯示，近日，華北電力科學研究院有限責任公司與國家電網有限公司共同研發的“基于關斷過程柵極電壓的IGBT缺陷定位方法及系統”正式獲得發明專利，專利號為CN202411756978.0。該技術旨在通過分析IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）在關斷過程中的柵極電壓變化，實現對內部缺陷的精準定位。
該技術的核心在于獲取目標IGBT的芯片總數和檢測數據，包括在關斷過程的柵極電壓下降階段的正常柵極電壓、實際柵極電壓、第一正常時長、第一實際時長，以及在米勒平臺階段的第二正常時長和第二實際時長。通過對比這些數據，系統能夠準確判斷IGBT內部是否存在缺陷，并確定缺陷的具體位置。
據研發團隊介紹，該技術的應用將極大提升IGBT的維護效率，減少因設備故障導致的電力系統中斷。目前，該技術已進入公開階段，預計將在2024年底正式投入使用。
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