據《朝鮮日報》報道，三星電子晶圓代工部門為存儲器部門制造的4nm工藝HBM4內存邏輯裸片良率已超過90%。該工藝采用1cnm DRAM裸片與4nm邏輯裸片組合，相較于臺積電的5nm方案更具技術優勢。
目前該內部訂單已占據三星4nm節點約半數產能，推動整體良率突破80%。隨著HBM內存對邏輯裸片工藝要求提升，存儲器部門市占率恢復將帶動晶圓代工部門獲得更多內部訂單，形成良性循環。
免責聲明：本文內容由開放的智能模型自動生成，僅供參考。
最新文章
<bdo id='59brf'></bdo><ul id='59brf'></ul>
據《朝鮮日報》報道，三星電子晶圓代工部門為存儲器部門制造的4nm工藝HBM4內存邏輯裸片良率已超過90%。該工藝采用1cnm DRAM裸片與4nm邏輯裸片組合，相較于臺積電的5nm方案更具技術優勢。
目前該內部訂單已占據三星4nm節點約半數產能，推動整體良率突破80%。隨著HBM內存對邏輯裸片工藝要求提升，存儲器部門市占率恢復將帶動晶圓代工部門獲得更多內部訂單，形成良性循環。
免責聲明：本文內容由開放的智能模型自動生成，僅供參考。
